Микросхема Hi6522 v223 для Huawei Honor 7X, Mate 10 Lite, Nova 3i, Y9 2018, P8 Lite 2017

QFM2340 Qualcomm 47140390 IC-RF Power Amplifier IC04 Huawei Nova 8 5G Nova 8 5G (ANG-AN00)QFM2340 Qualcomm IC-RF Power Amplifier IC10 Huawei Honor 50 Pro Honor 50 Pro (RNA-AN00)QFM2340 Qualcomm IC-RF Power Amplifier IC10 Huawei Honor 50 Honor 50 (NTH-AN00)..

PM8350BHS Qualcomm IC-Power Supervisor (Sub PMIC):Backlight/Charge FOWNSP,165P PU9001 Asus ROG Phone 5 ZS673KSPM8350BHS Qualcomm IC-Power Supervisor (Sub PMIC):Backlight/Charge FOWNSP,165P IC04 OnePlus OnePlus 9 Pro OnePlus 9 ProPM8350BHS Qualcomm IC-Power Supervisor (Sub PMIC):Backlight/Charge FOWNSP,165P IC12 Oppo Find X5 Pro Find X5 Pro (CPH2305)PM8350BHS Qualcomm IC-Power Supervisor (Sub PMIC) FOWNSP,165P IC09 Vivo X80 Pro X80 Pro (V2185A)Мікросхема Qualcomm PM8350 BHS 001 — Допоміжний контролер живлення смартфона (Secondary PMIC / GPU Power)PM8350 BHS 001 — преміальна високострумова мікросхема керування живленням (PMIC) від компанії Qualcomm. Чіп розроблений для інтеграції у флагманські мобільні архітектури та виступає вторинним вузлом розподілу енергії у смартфонах на базі процесорів Snapdragon 888 / 8 Gen 1. Компонент фокусується на формуванні стабільних низьковольтних ліній живлення для графічного ядра (GPU), швидкісних інтерфейсів та оперативної пам'яті. Завдяки багатофазній синхронній структурі, чіп забезпечує мінімальні просадки напруги при пікових ігрових та обчислювальних навантаженнях.Технічний параметрЗначенняМаркування на корпусіPM8350 BHS (модифікація 001)ВиробникQualcommТип компонентаSecondary Power Management IC (Вторинний / Допоміжний контролер живлення)Тип корпусу / МонтажBGA (WLCSP) для поверхневого SMD монтажу під мікроскопСумісність платформФлагманські смартфони на базі процесорів Qualcomm Snapdragon 888, 8 Gen 1..

1. Микросхемы,Микросхемы SOT,Микросхемы SOT-89 Микросхема 2SD1898, 2SD1898T100R, D1898, SOT-89 28718..

QPM6810 Qualcomm IC-RF Power Amplifier:LB L-PAMiD U1013 Samsung Galaxy A52 5G SM-A526BQPM6810 Qualcomm 1201-004308 IC-RF Power Amplifier:LB LPAMID LGA,58P U1100 Samsung Galaxy Tab S7 FE 5G SM-T736BQPM6810 Qualcomm IC-RF Power Amplifier:LB LPAMID LGA,58P U11300 Samsung Galaxy S23 Ultra SM-S918UQPM6810 Qualcomm IC-RF Power AmplifierLB LPAMID LGA,58P U31001 Samsung W22 5G SM-W2022QPM6810 Qualcomm IC-RF Power AmplifierLB LPAMID LGA,58P U31001 Samsung Galaxy Z Fold 3 SM-F926UQPM6810 Qualcomm 1201-004308 IC-RF Power Amplifier:LB LPAMID U11300 Samsung Galaxy S23 Ultra SM-S918BQPM6810 Qualcomm 1201-004308 IC-RF Power Amplifier:LB LPAMID LGA,58P U1004 Samsung Galaxy A73 5G SM-A736BQPM6810 Qualcomm 1201-004308 IC-RF Power Amplifier:LB LPAMID LGA,58P U1007 Samsung Galaxy A23 5G SM-A236B Мікросхема Qualcomm QPM6810 (RF Power Amplifier Module) QPM6810 — це високотехнологічний підсилювач потужності радіочастотного сигналу, розроблений для роботи в мережах 4G LTE та 5G. Модуль забезпечує стабільну передачу даних у середніх та високих частотних діапазонах, поєднуючи в собі високу вихідну потужність та енергоефективність. Технічні характеристики Параметр Значення Виробник Qualcomm Тип компонента Mid/High Band Power Amplifier (PA) Підтримка мереж 5G NR (Sub-6GHz), 4G LTE-A Тип корпусу LGA (Land Grid Array) Module Сумісність Qualcomm Snapdrago..

3. Запчасти,9. Шлейфы,Шлейфы для Samsung Шлейф для Samsung G960, G965 с разъемом наушников 25915..