Пленка OCA для приклеивания стекол Xiaomi Redmi 7

1. Микросхемы,Микросхемы QFN Микросхема KTD3156EFJ, KTD3156, GAEMA, GAJDA, GAEEA, QFN-16 28594..

1. Микросхемы,Микросхемы TO,Микросхема TO-220 Микросхема BTA08-800C, TO-220 28768..

Hi1101V130 HiSilicon IC-WIFI U6401 Huawei Y6 II Y6 II (CAM-L21)Hi1101V130 HiSilicon 35020414 IC-WIFI U6400 Huawei P8 Lite P8 Lite (ALE-L21)Hi1101V130 HiSilicon IC-WIFI U6400 Huawei Honor 4C Honor 4C (CHM-TL00)..

PSP5453..

Потужний N-канальний MOSFET BUK9Y40-55B (Маркування 94055B, Корпус SOT-669 / LFPAK)BUK9Y40-55B (94055B) — це високоякісний автомобільний N-канальний польовий транзистор, виготовлений за фірмовою технологією TrenchMOS компанії Nexperia / NXP. Компонент оптимізований для використання в силових комутаційних ланцюгах, де потрібні висока швидкість перемикання, колосальна надійність та мінімальні втрати потужності. Виконання у корпусі SOT-669 (LFPAK56) забезпечує транзистору теплові характеристики класичного DPAK, але у значно компактніших габаритах із планарними виводами, стійкими до вібрацій та теплових циклів.Технічний параметрЗначенняМаркування на корпусі94055BВиробникNexperia (NXP)Тип компонентаСиловий N-канальний польовий транзистор (Logic Level MOSFET)Тип корпусу / МонтажSOT-669 (LFPAK56 / Power-SO8) / SMD поверхневий монтажМаксимальна напруга Vds / Струм Id55V / 26AКлас надійностіAEC-Q101 (Automotive — для автомобільної електроніки)Замітки майстраТранзистор BUK9Y40-55B масово застосовується в автомобільних ЕБУ, блоках комфорту, ABS та керування силовими актуаторами. Головні причини виходу з ладу — КЗ у навантаженні (заклинювання моторчиків), кидки напруги в бортовій мережі та потрапляння вологи під корпус пристр..