Шлейф межплатный для Samsung G998, Galaxy S21 Ultra, LCD

TAS2557 TI IC-Speaker Amplifier U705 Xiaomi Mi 8 Mi 8 TAS2557 TI IC-Speaker Amplifier U705 Xiaomi Mi 8 SE Mi 8 SETAS2557 TI IC-Speaker Amplifier U2001 Xiaomi Redmi 5 Plus Redmi 5 PlusTAS2557 TI IC-Speaker Amplifier U705 Xiaomi Mi Mix 3 Mi Mix 3TAS2557 TI IC-Speaker Amplifier U2201,U2202 Xiaomi Mi Pad 4 Mi Pad 4TAS2557 TI IC-Speaker Amplifier Nokia Nokia 6.1 Plus TA-1116..

5. Инструменты,7. Трафареты для перекатки микросхем,Сокет, Socket Сокет LGA1155, Socket H2 с шариками 11081..

1. Микросхемы,Микросхемы Mosfet,Микросхемы Mosfet PowerPAK, MLP Микросхема SiC533 29594..

3. Запчасти,Еще запчасти,Запчасти оригинал,Sony Mobile original parts Sony E6533 Xperia Z3+ Dual Заглушка SIM/SD карт, Black, original (PN:1290-1045) 3783..

Мікросхема пам'яті Winbond W25Q64FWSIG (25Q64FW, 1.8V, 64M-bit / 8MB, SOP-8)Winbond W25Q64FWSIG (25Q64FW) — це низьковольтна мікросхема енергонезалежної флеш-пам'яті (SPI NOR Flash) об'ємом 64 Мбіт (8 МБ), що працює від напруги 1.8V. Виконана в корпусі SOP-8 (ширина 208 mils). Чіп розроблений для сучасних материнських плат ноутбуків, ультрабуків, планшетів та SSD-накопичувачів, де критично важливі мінімальне енергоспоживання та висока швидкість обміну даними за протоколами Dual/Quad SPI. Використовується переважно для зберігання дампів мікропрограм BIOS/UEFI.⚠️ ВАЖЛИВА ПРИМІТКА: Модифікація FW є низьковольтною (1.8V). Вона НЕ є взаємозамінною зі звичайними чіпами серії FV/BV на 3.3V! Для роботи з цією мікросхемою на програматорі обов'язково потрібен спеціальний адаптер-конвертер рівнів напруги 1.8V.Технічний параметрЗначенняМаркування на корпусі25Q64FWSIGВиробникWinbond ElectronicsТип компонентаSPI NOR Flash Memory (Низьковольтна флеш-пам'ять)Об'єм пам'яті64 Mbit (8 Megabytes)Робоча напруга живлення1.65V – 1.95V (Номінал 1.8V)Тип корпусу / ШиринаSOP-8 (SOIC-8) / 208 mils (Широкий) / SMD монтаж..