Аккумулятор для Xiaomi (Model: BN52) Redmi Note 9 Pro, Controller original
Модель: 27295
Артикул: 27295
274.70 грн.
Знайшли дешевше?
Короткий опис
3. Запчасти,1. Аккумуляторы для телефонов,Аккумуляторы для Xiaomi Аккумулятор для Xiaomi (Model: BN52) Redmi Note 9 Pro, Controller original 27295...
Читати далі...
3. Запчасти,1. Аккумуляторы для телефонов,Аккумуляторы для Xiaomi Аккумулятор для Xiaomi (Model: BN52) Redmi Note 9 Pro, Controller original 27295
Недавно переглянуті
В наявності
29246
1. Микросхемы,Микросхемы QFN Микросхема AON7410, QFN-8 29246..
22.55 грн.
Немає в наявності
4835
1. Микросхемы,Микросхемы DIP,Микросхемы DIP-14 Микросхема LM319N, DIP-14 4835..
0.00 грн.
Немає в наявності
22890
1. Микросхемы,Микросхемы QUARTZCOM Микросхема VT358F для ноутбука 22890..
0.00 грн.
Немає в наявності
28396
1. Микросхемы,Микросхемы SOP,Микросхемы SOP-16 Микросхема EG2113S, SOP-16 28396..
0.00 грн.
В наявності
29463
Драйвер MOSFET/IGBT IR2113S (High and Low Side Driver) IR2113S — це високовольтний, високошвидкісний драйвер живлення для керування затворами польових (MOSFET) та біполярних (IGBT) транзисторів. Він має незалежні канали вихідного сигналу для високого та низького рівнів, що дозволяє використовувати його в складних силових схемах. Основні технічні характеристики: Параметр Значення Напруга зміщення (Voffset) до 600V макс. Вихідний струм (Io+/-) 2A / 2A (піковий) Напруга живлення затворів (Vout) 10V – 20V Тип корпусу SOIC-16 (W) Логіка входів Сумісна з 3.3V, 5V та 15V Сфера застосування (Де стоїть): Мікросхема IR2113S є потужнішим аналогом моделі IR2110S і часто зустрічається у пристроях з високими вимогами до струму керування затвором: Силова електроніка: Потужні імпульсні джерела живлення (SMPS); Інвертори: Сонячні інвертори, перетворювачі напруги 12/24V в 220V; Керування приводами: Частотні перетворювачі для електродвигунів; Зварювальні апарати: Силові плати інверторних зварювальних випрямлячів; Індукційні нагрівачі: Схеми керування індукційними плитами та промисловими печами. ..
69.70 грн.