Шлейф межплатный для Xiaomi Redmi Note 11 4G, Note 11S. Poco M4 Pro 4G

Разъем заряда для Samsung G991, Разъем заряда для Samsung G996,Разъем заряда для Samsung G998,Разъем заряда для Samsung S21,Разъем заряда для Samsung S21 Plus, Разъем заряда для Samsung S21 Ultra,Разъем заряда для Samsung g9910Разъем заряда для Samsung g9980Разъем заряда для Samsung S23,Разъем заряда для Samsung S22,Разъем заряда для Samsung S21 Plus Ultra,Разъем заряда для Samsung G996,Разъем заряда для Samsung G991,Разъем заряда для Samsung G998,Разъем заряда для Samsung S906,Разъем заряда для Samsung S908,Разъем заряда для Samsung S901,Разъем заряда для Samsung S911,Разъем заряда для Samsung S918,Разъем заряда для Samsung S916 B,Разъем заряда для Samsung S24Разъем заряда для Samsung S24 PlusРазъем заряда для Samsung S24 UltraРазъем заряда для Samsung S25Разъем заряда для Samsung S25 PlusРазъем заряда для Samsung S25 Ultra..

Мікросхема 216-0810005 (AMD Radeon HD 6770M / HD 6750M) 216-0810005 — це високопродуктивний дискретний графічний процесор від AMD, заснований на 40-нанометровій архітектурі Whistler. Чіп розроблений для ноутбуків і моноблоків, забезпечуючи відмінну швидкість у 3D-додатках, підтримку сучасних графічних стандартів та ефективну обробку мультимедійного контенту. Основні характеристики Виробник: AMD Кодова назва ядра: Whistler XT Техпроцес: 40 нм Шина пам'яті: 128-bit (GDDR5 / DDR3) Тип корпусу: BGA Замітки для майстра: Діагностика та сервіс Типові несправності: Ноутбук вмикається, але немає зображення; поява артефактів (вертикальні смуги, кольоровий шум); зависання при навантаженні на відеокарту; код помилки 43 у диспетчері пристроїв. Діагностика: Чіп 216-0810005 дуже показово реагує на діагностичний прогрів кристала. 10-15 секунд прогріву феном при 250°C зазвичай тимчасово повертають зображення, що однозначно вказує на внутрішній обрив у чипі та необхідність його заміни. Тепловий режим: Даний GPU схильний до перегріву, особливо в ноутбуках HP Pavilion dv6/dv7. При заміні критично важливо перевірити рівність підошви радіатора та використовувати термопасту з високою теплопровідністю. Особливості пайки: Вимагає точного дотримання термопрофілю. Через вік платформи текстоліт може бути чутливим до вологи, тому перед установкою нового чипа рекомендується просушування плати для запобігання розшаруванню. Надійні комплектуючі для сервісного обслуговування ноутбуків — chipik.com.ua | opt-chipik.com.ua ..

Динамик для Meizu MX4, MX4 Pro 5.5", Pro 6; Huawei Honor 10, Honor 7X, Honor 8 Pro, Honor 9 Lite, Honor 9 Youth Edition, Honor View 10 (V10), Nova 2 (2017), Nova 2 Plus (2017), P Smart, P10 Lite, P20 Lite, P8 (GRA L09), P8 Lite (ALE L21), P9 Lite..

3. Запчасти,9. Шлейфы,Шлейфы для Xiaomi Шлейф межплатный для Xiaomi Redmi Note 10S 4G, LCD 27383..

Мікросхема AMS1117-1.8 — Лінійний LDO стабілізатор напруги 1.8VAMS1117-1.8 — низькопадний лінійний стабілізатор напруги (LDO), призначений для формування стабільної напруги 1.8V у цифрових пристроях та периферійній електроніці. Мікросхема широко використовується у SSD-накопичувачах, Wi-Fi роутерах, TV Box, материнських платах, модулях пам’яті, NAND Flash, ARM-процесорах та FPGA-системах. AMS1117-1.8 має просту схему підключення, підтримує струм до 0.8–1A та оснащений вбудованим захистом від перегріву й перевантаження по струму. Завдяки доступності та великій кількості сумісних аналогів стабілізатор став одним із найпоширеніших рішень у корпусі SOT-223.Технічний параметрЗначенняМаркуванняAMS1117-1.8Тип мікросхемиLDO Voltage RegulatorВихідна напруга1.8VМаксимальний струмДо 0.8–1AТип корпусуSOT-223Dropout VoltageБлизько 1.1VЗахистThermal Shutdown / Current LimitПризначенняСтабілізація живлення цифрових схемЗамітки майстраAMS1117-1.8 дуже часто використовується у живленні NA..