Микросхема ADF4116BRUZ

Високовольтний NPN транзистор MMBT5551 (160V, 0.6A, SOT-23)MMBT5551 — це високовольтний малопотужний NPN біполярний транзистор загального призначення у компактному SMD-корпусі SOT-23 (маркування G1). Розрахований на напругу колектор-емітер до 160V та струм до 0.6A. Застосовується в імпульсних блоках живлення та схемах управління.Технічний параметрЗначенняМаркування на корпусіG1 (або 1G)Тип транзистораNPN (High Voltage Bipolar Transistor)Напруга колектор-емітер (Vceo)160VСтрум колектора (Ic)0.6 A (600 мА)Розсіювана потужність (Pd)350 мВтТип корпусу / МонтажSOT-23 (SMD)Замітки майстраТранзистор MMBT5551 працює у високовольтних колах блоків живлення та плат управління. При несправностях часто виходить з ладу з повним пробоєм переходів.Типові симптоми несправності:• Відсутність запуску імпульсного блоку живлення або зарядного пристрою;• Повний пробій транзистора (коротке замикання між виводами).Поради щодо діагностики та заміни:Перевірте транзистор мультиметром у режимі прозвонки. Разом із ним обов'язково перевіряйте обв'язку та комплементарну пару MMBT5401...

Стандарт: USB 2.0 Напряжение: 5VДлина кабеля: 0.5mКомпактный USB 2.0 высокоскоростной концентратор со скоростью передачи данных 480 мбит/с. USB Hub имеет 4 выхода, позволяет к любому USB порту Вашего компьютера подключить до 4х устройств - флэш-накопители, камеры, MP3 проигрыватели и т.п. Для использования хаба достаточно его подключить, никаких драйверов не требуется. С помощью выключателя можно активировать или деактивировать отдельные порты, а светодиодный индикатор показывает, какой USB-порт используется...

WIPS33232-01 WiPAM 1201-004100 IC-Power Amplifier PAM1001 Samsung Galaxy J4 SM-J400F,GWIPS33232-01 WiPAM 1201-004100 IC-Power Amplifier U1006 Samsung Galaxy A20 SM-A205FNWIPS33232-01 WiPAM 1201-004100 IC-Power Amplifier PAM1001 Samsung Galaxy J7 Plus SM-C710FWIPS33232-01 WiPAM 1201-004100 IC-Power Amplifier PAM1000 Samsung Galaxy A40 SM-A405FNWIPS33232-01 WiPAM 1201-004100 IC-RF Power Amplifier SIP,20P PAM1001 Samsung Galaxy J2 Core SM-J260F.GWIPS33232-01 WiPAM 1201-004273 IC-RF Power Amplifier:HB PA PAM1001 Samsung Galaxy A31 SM-A315FWIPS33232-01 WiPAM 1201-004273 IC-RF Power Amplifier:HB PA U1001 Samsung Galaxy A01 Core SM-A013FWIPS33232-01 WiPAM 1201-004273 IC-RF Power Amplifier:HB PA PAM1001 Samsung Galaxy A12 SM-A125FWIPS33232-01 WiPAM 1201-004273 IC-RF Power Amplifier:HB PA PAM1001 Samsung Galaxy A21s SM-A217FWIPS33232-01 WiPAM 1201-004273 IC-RF Power Amplifier:HB PA PAM2000 Samsung Galaxy M51 SM-M515FWIPS33232-01 WiPAM 1201-004273 IC-RF Power Amplifier:HB PA PAM1001 Samsung Galaxy A02 SM-A022FWIPS33232-01 WiPAM 1201-004273 IC-RF Power Amplifier:HB PA PAM2000 Samsung Galaxy A72 SM-A725FWIPS33232-01 WiPAM 1201-004273 IC-RF Power Amplifier:HB PA PAM2000 Samsung Galaxy A52 SM-A525FWIPS33232-01 WiPAM 1201-004273 IC-RF Power Amplifier:HB PA PAM1001 Samsung Galaxy A32 SM-A325FWIPS33232-01 WiPAM 1201-004273 IC-RF Power Amplifier:HB PA PAM1001 Samsung Galaxy A22 SM-A225FWIPS33232-01 WiPAM 1201-004273 IC-RF Power Amplifier:HB PA IC05 Samsung Galaxy M32 SM-M325FWIPS33232-01 WiPAM 1201-004273 IC-RF Power Amplifier:HB PA PAM1000 Samsung Galaxy A12 SM-A127F..

6. Аксессуары,8. USB Хабы USB-хаб с подсветкой с выключателями на 7 портов, белый 9146..

Hi6260V101 HiSilicon IC-MicroProcessor (CPU):Kirin 8-Core ARM 710 4?732.2GHz+4?531.7GHz BGA,766P Huawei P Smart 2019 P Smart 2019 (POT-LX1) Hi6260V101 HiSilicon IC-MicroProcessor (CPU):Kirin 8-Core ARM 710 4?732.2GHz+4?531.7GHz BGA,766P Huawei Enjoy 9S Enjoy 9S (POT-AL00) Hi6260V101 HiSilicon IC-MicroProcessor (CPU):Kirin 8-Core ARM 710 4?732.2GHz+4?531.7GHz BGA,766P Huawei Enjoy 10S Enjoy 10S (AQM-AL00)..