Микросхема SiC532

Немає в наявності 0

Модель: 29591

Артикул: 29591

0.00 грн.

Короткий опис

Мікросхема SiC532 — DrMOS силовий модуль VRMSiC532 — інтегрований DrMOS-модуль виробництва Vishay Siliconix, призначений для високоефективних багатофазних VRM-перетворювачів живлення процесорів та відеокарт. Мікросхема о... Читати далі...

Мікросхема SiC532 — DrMOS силовий модуль VRM

SiC532 — інтегрований DrMOS-модуль виробництва Vishay Siliconix, призначений для високоефективних багатофазних VRM-перетворювачів живлення процесорів та відеокарт. Мікросхема об’єднує верхній і нижній MOSFET та драйвер керування в одному компактному корпусі, забезпечуючи високу ефективність, низькі втрати та швидке перемикання. SiC532 широко застосовується у материнських платах ПК, відеокартах, серверному обладнанні та потужних DC/DC перетворювачах. Чіп підтримує високий струм навантаження та оптимізований для роботи у VRM-системах Intel та AMD.

Технічний параметр	Значення
Маркування	SiC532
Виробник	Vishay Siliconix
Тип	Smart Power Stage / DrMOS
Призначення	VRM живлення CPU / GPU
Вбудовані компоненти	High-Side MOSFET + Low-Side MOSFET + Driver
Робочий струм	До 50A
Інтерфейс	PWM
Корпус	PowerPAK / MLP
Застосування	Материнські плати, відеокарти

Замітки майстра

Недавно переглянуті

Разъем заряда для Xiaomi Redmi 9A, Redmi 9C, Redmi A1, Redmi A1 Plus, Redmi 10A, 12C, Samsung A015, micro-USB

В наявності

27355

Разъем заряда для Xiaomi Redmi A1,Разъем заряда для Xiaomi Redmi A1 Plus, Разъем заряда для Xiaomi Redmi A1 +Разъем заряда для Xiaomi Redmi 9A,Разъем заряда для Xiaomi Redmi 9C,Разъем заряда для Samsung A015,Разъем заряда для Pocophone POCO C3Роз'єм заряду Pocophone C3Разъем заряда для A1 PlusРазъем заряда для 10AРазъем заряда для 12CРазъем заряда для Samsung A01 2019, Разъем заряда для Samsung A03Разъем заряда для Samsung A03 CoreРазъем заряда для Samsung A015FРазъем заряда для Samsung A035FРазъем заряда для Samsung A035UРазъем заряда для Samsung A032FРазъем заряда для LG K22Разъем заряда для LG K12 PlusРазъем заряда для LG K40Разъем заряда для LG Q60Разъем заряда для LG LMK200BРазъем заряда для LG LM-K200Разъем заряда для LG LMK200ZРазъем заряда для LG LMK200..

13.53 грн.

Микросхема QM13144 для Xiaomi Redmi 10X Pro

В наявності

27833

QM13144 Qorvo IC-Antenna Switch 12P S0100,S0101 Xiaomi Redmi 10X Pro Redmi 10X Pro..

223.45 грн.

Микросхема AW87519 для Xiaomi Redmi 8, Redmi 9

Немає в наявності

27793

AW87519 Awinic IC-Audio Amplifier 20P U2000 Xiaomi Redmi 8 Redmi 8AW87519 Awinic IC-Audio Amplifier 20P U6501 Xiaomi Redmi 9 Redmi 9Мікросхема AW87519 — Smart Audio Amplifier для смартфонівAW87519 — компактний цифровий аудіопідсилювач класу D виробництва Awinic Technology, призначений для смартфонів, планшетів та портативної електроніки. Мікросхема використовується для підсилення звуку мультимедійного динаміка та роботи гучного зв’язку. AW87519 підтримує Smart PA технологію, має вбудований Boost-конвертер та систему захисту динаміка від перевантаження, перегріву й перенапруги. Чіп широко застосовується у смартфонах Xiaomi, Vivo, Oppo, Realme, Samsung та інших Android-пристроях із покращеним мультимедійним звуком.Технічний параметрЗначенняМаркуванняAW87519ВиробникAwinic TechnologyТип мікросхемиSmart Audio AmplifierТип корпусуWLCSP / BGAКлас підсилювачаClass-DІнтерфейсI2C / I2SВбудований Boost ConverterЄПризначенняПідсилення звуку динаміка смартфонаЗамітки майстраAW87519..