Микросхема SW5084B для телевизора

3. Запчасти,1. Аккумуляторы для телефонов,Аккумуляторы для Apple Аккумулятор для Apple iPhone 6 Plus, HOCO original 28092..

3. Запчасти,2. Батарейная крышка,Батарейная крышка Samsung Батарейная крышка для Samsung G955 Galaxy S8+, синяя 13841..

Разъем заряда для Samsung T500, T505, T507, X200, X205, rev 2, type-cРазъем заряда для Samsung T500,Разъем заряда для Samsung T505,Разъем заряда для Samsung T507,Разъем заряда для Samsung X200,Разъем заряда для Samsung X205,Разъем заряда для Samsung Samsung Galaxy Tab A8..

1. Микросхемы,Микросхемы Mosfet,Микросхемы Mosfet PowerPAK, MLP Микросхема SiC632 29596..

Драйвер MOSFET/IGBT IR2113S (High and Low Side Driver) IR2113S — це високовольтний, високошвидкісний драйвер живлення для керування затворами польових (MOSFET) та біполярних (IGBT) транзисторів. Він має незалежні канали вихідного сигналу для високого та низького рівнів, що дозволяє використовувати його в складних силових схемах. Основні технічні характеристики: Параметр Значення Напруга зміщення (Voffset) до 600V макс. Вихідний струм (Io+/-) 2A / 2A (піковий) Напруга живлення затворів (Vout) 10V – 20V Тип корпусу SOIC-16 (W) Логіка входів Сумісна з 3.3V, 5V та 15V Сфера застосування (Де стоїть): Мікросхема IR2113S є потужнішим аналогом моделі IR2110S і часто зустрічається у пристроях з високими вимогами до струму керування затвором: Силова електроніка: Потужні імпульсні джерела живлення (SMPS); Інвертори: Сонячні інвертори, перетворювачі напруги 12/24V в 220V; Керування приводами: Частотні перетворювачі для електродвигунів; Зварювальні апарати: Силові плати інверторних зварювальних випрямлячів; Індукційні нагрівачі: Схеми керування індукційними плитами та промисловими печами. ..