Микросхема FDMC8010
Модель: 29750
Артикул: 29750
0.00 грн.
Знайшли дешевше?
Короткий опис
Силовий N-канальний польовий транзистор FDMC8010 (30V 30A, DFN3x3)onsemi / Fairchild FDMC8010 — це потужний N-канальний Power MOSFET (30V 30A) із наднизьким опором каналу RDS(on) < 4.4 мОм у корпусі Power 33 / DFN3x3 (3....
Читати далі...
Силовий N-канальний польовий транзистор FDMC8010 (30V 30A, DFN3x3)
onsemi / Fairchild FDMC8010 — це потужний N-канальний Power MOSFET (30V 30A) із наднизьким опором каналу RDS(on) < 4.4 мОм у корпусі Power 33 / DFN3x3 (3.3x3.3 мм). Застосовується в DC-DC перетворювачах материнських плат ноутбуків, регуляторах ходу ESC для FPV-дронів та BMS-платах.
| Технічний параметр | Значення |
|---|---|
| Маркування на корпусі | FDMC8010 / 8010 |
| Виробник компонента | Fairchild / onsemi |
| Тип транзистора | N-Channel Power MOSFET (PowerTrench®) |
| Напруга сток-витік (Vds) | 30V |
| Максимальний струм (Id) | 30A (імпульсний до 120A) |
| Опір відкритого каналу (Rds on) | < 4.4 мОм (при Vgs = 10V) |
| Порогова напруга (Vgs th) | 1.0V - 2.2V |
| Заряд затвора (Qg) | 13 nC |
| Тип корпусу / Розмір | MLP 3.3x3.3 / Power 33 (3.3 x 3.3 мм) |
Замітки майстра
Польовий транзистор FDMC8010 вирізняється дуже низьким опором каналу та малим зарядо